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AOTF11S60L

N.º de producto de DigiKey
AOTF11S60L-ND
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza del fabricante
AOTF11S60L
Descripción
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 11 A (Tc) 38W (Tc) TO-220F
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
aMOS™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
399mOhm a 3.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
545 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220F
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
AOTF11
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Cantidad
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Cantidad Precio por unidad Precio ext.
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Paquete estándar del fabricante
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