Name: AMTP65H150G4LSGB
Brand: Analog Power Inc.
SKU: 5318-AMTP65H150G4LSGB-ND
Price: 41.49 USD
Availability: InStock

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AMTP65H150G4LSGB
N.º de producto de DigiKey	5318-AMTP65H150G4LSGB-ND
Fabricante	Analog Power Inc.
Número de pieza del fabricante	AMTP65H150G4LSGB
Descripción	GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) 4-DFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Analog Power Inc.
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	180mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.8 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	760 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-DFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	4-PowerTSFN