Name: CGD65A055S2-T07
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65A055S2-T07TR-ND
Price: 16.57 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

CGD65A055S2-T07
N.º de producto de DigiKey	4768-CGD65A055S2-T07TR-ND - Cinta y rollo (TR) 4768-CGD65A055S2-T07CT-ND - Cinta cortada (CT) 4768-CGD65A055S2-T07DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Cambridge GaN Devices
Número de pieza del fabricante	CGD65A055S2-T07
Descripción	650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Montaje en superficie 650 V 27A (Tc) 16-DFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Cambridge GaN Devices
Serie	ICeGaN™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	27A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	12V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	77mOhm a 2.2A, 12V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6 nC @ 12 V
Vgs (máx.)	+20V, -1V
Característica de FET	Detección de corriente
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	16-DFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	16-PowerVDFN