Name: CGD65B130SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B130SH2TR-ND
Price: 7.1 USD
Availability: OutOfStock

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CGD65B130SH2
N.º de producto de DigiKey	4768-CGD65B130SH2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 4768-CGD65B130SH2CT-ND - Cinta cortada (CT) 4768-CGD65B130SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Cambridge GaN Devices
Número de pieza del fabricante	CGD65B130SH2
Descripción	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 12A 8-DFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Cambridge GaN Devices
Serie	ICeGaN™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	12V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	182mOhm a 900mA, 12V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 4.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.9 nC @ 12 V
Vgs (máx.)	+20V, -1V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN