2N7002-13-F Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

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2N7002-13-F
N.º de producto de DigiKey	31-2N7002-13-F-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	2N7002-13-F
Descripción	DIODE
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 170mA (Ta) 370mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	170mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.23 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	50 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	370mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	2N7002

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