BS250P Diodes Incorporated | Productos de semiconductores discretos

Canal P Orificio pasante 45 V 230mA (Ta) 700mW (Ta) TO-92

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BS250P
Número de pieza de DigiKey	BS250P-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	BS250P
Descripción	MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Orificio pasante 45 V 230mA (Ta) 700mW (Ta) TO-92
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	45 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	230mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14Ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 1mA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	60 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92
Paquete / Caja (carcasa)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base	BS250

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Stock de fábrica: 39,950

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