BSS8402DW-7-F Diodes Incorporated | Productos de semiconductores discretos

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BSS8402DW-7-F
Número de pieza de DigiKey	BSS8402DW-FDITR-ND - Cinta y rollo (TR) BSS8402DW-FDICT-ND - Cinta cortada (CT) BSS8402DW-FDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	BSS8402DW-7-F
Descripción	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Montaje en superficie SOT-363
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSS8402DW-7-F Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Complemento de canal N y P
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V, 50V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	115mA, 130mA
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.5Ohm a 50mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	50pF a 25V, 45pF a 25V
Potencia - Máx.	200mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-363
Número de producto base	BSS8402