Name: DMHC3025LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMHC3025LSDQ-13TR-ND
Price: 1.42 USD
Availability: OutOfStock

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DMHC3025LSDQ-13
Número de pieza de DigiKey	31-DMHC3025LSDQ-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMHC3025LSDQ-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMHC3025LSDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMHC3025LSDQ-13
Descripción	MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 6 A, 4.2 A 1.5W (Ta) Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal 2 N y 2 P (puente completo)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6 A, 4.2 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 5A, 10V, 50mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11.7nC a 10V, 11.4nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	590pF a 15V, 631pF a 15V
Potencia - Máx.	1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Número de producto base	DMHC3025