DMN100-7-F Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

DMN100-7-F es obsoleto y ya no se fabrica.

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DMN100-7-F
N.º de producto de DigiKey	DMN100-FDITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN100-FDICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN100-FDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN100-7-F
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 1.1 A (Ta) 500mW (Ta) SC-59-3

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	240mOhm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	150 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-59-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	DMN100