Name: DMN1008UFDFQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN1008UFDFQ-7TR-ND
Price: 0.11832 USD
Availability: OutOfStock

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DMN1008UFDFQ-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMN1008UFDFQ-7TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN1008UFDFQ-7
Descripción	MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 12 V 12.2A (Ta) 700mW U-DFN2020-6 (típico F)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23.4 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	995 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (típico F)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN
Número de producto base	DMN1008