Name: DMN2501UFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2501UFB4-7TR-ND
Price: 0.45 USD
Availability: OutOfStock

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DMN2501UFB4-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMN2501UFB4-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMN2501UFB4-7CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMN2501UFB4-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN2501UFB4-7
Descripción	MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) X2-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	400mOhm a 600mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	82 pF @ 16 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN
Número de producto base	DMN2501