Name: DMN30H4D0LFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN30H4D0LFDE-7DITR-ND
Price: 0.68 USD
Availability: InStock

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DMN30H4D0LFDE-7
N.º de producto de DigiKey	DMN30H4D0LFDE-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN30H4D0LFDE-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN30H4D0LFDE-7
Descripción	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 300 V 550mA (Ta) 630mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	550mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4Ohm a 300mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	187.3 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	630mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (típico E)
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerUDFN
Número de producto base	DMN30