Name: DMN32D0LFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN32D0LFB4-7BTR-ND
Price: 0.42 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

DMN32D0LFB4-7B
N.º de producto de DigiKey	31-DMN32D0LFB4-7BTR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMN32D0LFB4-7BCT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMN32D0LFB4-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN32D0LFB4-7B
Descripción	MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 440mA (Ta) 350mW (Ta) X2-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	440mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2Ohm a 100mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	44.8 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN
Número de producto base	DMN32