Name: DMP2005UFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2005UFG-7-ND
Price: 0.3297 USD
Availability: OutOfStock

DMP2005UFG-7 está disponible para la compra, pero no está normalmente en stock.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

Diodes Incorporated

En stock: 0

Precio por unidad : $1.27000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 0

Precio por unidad : $1.23000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

DMP2005UFG-7
N.º de producto de DigiKey	DMP2005UFG-7-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP2005UFG-7
Descripción	MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 89A (Tc) 2.2W (Ta) PowerDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	89A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4mOhm a 15A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4670 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMP2005