Name: DMP2010UFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2010UFG-7DITR-ND
Price: 1.03 USD
Availability: OutOfStock

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DMP2010UFG-7
N.º de producto de DigiKey	DMP2010UFG-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMP2010UFG-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMP2010UFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP2010UFG-7
Descripción	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12.7A (Ta), 42A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3350 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	POWERDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMP2010