Name: DMP6018LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP6018LPSQ-13TR-ND
Price: 2.32 USD
Availability: OutOfStock

DMP6018LPSQ-13 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

Diodes Incorporated

En stock: 0

Precio por unidad : $2.56000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

DMP6018LPSQ-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMP6018LPSQ-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMP6018LPSQ-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMP6018LPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP6018LPSQ-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 60A (Tc) 2.6W (Ta), 113W (Tc) PowerDI5060-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMP6018LPSQ-13 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3505 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.6W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN