Name: DMP65H20D0HSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND
Price: 1.64 USD
Availability: OutOfStock

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DMP65H20D0HSS-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMP65H20D0HSS-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMP65H20D0HSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP65H20D0HSS-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 600 V 200mA (Ta) 1.9W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20Ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	400 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)