Name: DMT15H017LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT15H017LPS-13TR-ND
Price: 2.12 USD
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 150 V 9.4A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta) PowerDI5060-8

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DMT15H017LPS-13
Número de pieza de DigiKey	31-DMT15H017LPS-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT15H017LPS-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT15H017LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT15H017LPS-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 9.4A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta) PowerDI5060-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMT15H017LPS-13 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.4A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3369 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMT15

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