Name: DMT3020LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT3020LFDF-7DITR-ND
Price: 0.74 USD
Availability: OutOfStock

DMT3020LFDF-7 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Nexperia USA Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $0.35000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

DMT3020LFDF-7
N.º de producto de DigiKey	DMT3020LFDF-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMT3020LFDF-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMT3020LFDF-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT3020LFDF-7
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 8.4 A (Ta) 700mW (Ta), 1.8W (Tc) U-DFN2020-6 (típico F)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	393 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (típico F)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN
Número de producto base	DMT3020