Name: DMT6015LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6015LPS-13DITR-ND
Price: 0.91 USD
Availability: OutOfStock

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DMT6015LPS-13
N.º de producto de DigiKey	DMT6015LPS-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMT6015LPS-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMT6015LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT6015LPS-13
Descripción	MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 10.6A (Ta), 31A (Tc) 1.16W (Ta) PowerDI5060-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10.6A (Ta), 31A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1103 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.16W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMT6015