Name: DMTH3002LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH3002LPS-13TR-ND
Price: 1.23 USD
Availability: OutOfStock

DMTH3002LPS-13 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $2.49000

Similar

onsemi

En stock: 1,261

Precio por unidad : $1.72000

Similar

Rohm Semiconductor

En stock: 750

Precio por unidad : $1.75000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

DMTH3002LPS-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH3002LPS-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMTH3002LPS-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMTH3002LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH3002LPS-13
Descripción	MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 100A (Tc) 1.2W (Ta), 136W (Tc) PowerDI5060-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.6mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5000 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.2W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMTH3002