Name: ZXMN3B04N8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3B04N8TR-ND
Price: 1.53 USD
Availability: InStock

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ZXMN3B04N8TA
N.º de producto de DigiKey	ZXMN3B04N8TR-ND - Cinta y rollo (TR) ZXMN3B04N8CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	ZXMN3B04N8TA
Descripción	MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 7.2 A (Ta) 2W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 7.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	700mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2480 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	ZXMN3