Name: EPC7014UBSH
Brand: EPC Space, LLC
SKU: 4107-EPC7014UBSH-ND
Price: 232.4 USD
Availability: OutOfStock

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EPC7014UBSH
N.º de producto de DigiKey	4107-EPC7014UBSH-ND
Fabricante	EPC Space, LLC
Número de pieza del fabricante	EPC7014UBSH
Descripción	GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 1A (Tc) 4-SMD
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	EPC Space, LLC
Serie	e-GaN®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	580mOhm a 1A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 140µA
Vgs (máx.)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	22 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-SMD
Paquete / Caja (carcasa)	4-SMD, sin conductor