Name: FDD8896
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDD8896-ND
Price: 0.53 USD
Availability: InStock

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FDD8896
N.º de producto de DigiKey	2156-FDD8896-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FDD8896
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 17 A (Ta), 94 A (Tc) 80W (Tc) TO-252 (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17 A (Ta), 94 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.7mOhm a 35A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2525 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63