FDMS7694 Fairchild Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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FDMS7694
Número de pieza de DigiKey	2156-FDMS7694-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FDMS7694
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 13.2A (Ta), 20A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13.2A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 13.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1410 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN