Name: FDN352AP
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDN352AP-ND
Price: 0.17 USD
Availability: InStock

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FDN352AP
N.º de producto de DigiKey	2156-FDN352AP-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FDN352AP
Descripción	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 1.3 A (Ta) 500mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	180mOhm a 1.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	150 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	FDN352