Name: RFD8P06LE
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-RFD8P06LE-ND
Price: 0.4 USD
Availability: InStock

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RFD8P06LE
N.º de producto de DigiKey	2156-RFD8P06LE-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RFD8P06LE
Descripción	P-CHANNEL POWER MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Orificio pasante 60 V 8A (Tc) 48W (Tc) IPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	300mOhm a 8A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	675 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	IPAK
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA