FDB2532-F085 onsemi | Productos semiconductores discretos

FDB2532-F085 es obsoleto y ya no se fabrica.

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FDB2532-F085
N.º de producto de DigiKey	FDB2532-F085TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB2532-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB2532-F085
Descripción	MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 79A (Tc) 310W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDB2532-F085 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	79A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 33A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	107 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5870 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FDB2532