FDV045P20L onsemi | Productos de semiconductores discretos

FDV045P20L es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

Similar

Diodes Incorporated

En stock: 0

Precio por unidad : $0.04182

Similar

Nexperia USA Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $0.41000

Similar

Nexperia USA Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $0.60000

Similar

Nexperia USA Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $0.07192

Similar

Vishay Siliconix

En stock: 0

Precio por unidad : $0.61000

Similar

MCC (Micro Commercial Components)

En stock: 0

Precio por unidad : $0.00000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDV045P20L
Número de pieza de DigiKey	FDV045P20LOSTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDV045P20L
Descripción	MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 1.15A (Ta) 1.6W (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDV045P20L Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.15A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	108mOhm a 1.15A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1220 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	FDV045