FQPF5N50CYDTU es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FQPF5N50CYDTU
N.º de producto de DigiKey	FQPF5N50CYDTU-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQPF5N50CYDTU
Descripción	MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 500 V 5A (Tc) 38W (Tc) TO-220F-3 (formación en Y)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4Ohm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	625 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220F-3 (formación en Y)
Paquete / Caja (carcasa)	Paquete completo TO-220-3, conductores formados
Número de producto base	FQPF5