FQPF7N65CYDTU onsemi | Productos semiconductores discretos

FQPF7N65CYDTU
N.º de producto de DigiKey	FQPF7N65CYDTU-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQPF7N65CYDTU
Descripción	MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) TO-220F-3 (formación en Y)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4Ohm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1245 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220F-3 (formación en Y)
Paquete / Caja (carcasa)	Paquete completo TO-220-3, conductores formados
Número de producto base	FQPF7