FQU13N06LTU onsemi | Productos semiconductores discretos

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FQU13N06LTU
N.º de producto de DigiKey	FQU13N06LTU-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQU13N06LTU
Descripción	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) IPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQU13N06LTU Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	115mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	350 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	IPAK
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Número de producto base	FQU13N06