FQU4N50TU-WS es obsoleto y ya no se fabrica.

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FQU4N50TU-WS
N.º de producto de DigiKey	FQU4N50TU-WSOS-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQU4N50TU-WS
Descripción	MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) IPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.7Ohm a 1.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	460 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	IPAK
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Número de producto base	FQU4N50