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NTD4813NHT4G
N.º de producto de DigiKey	NTD4813NHT4GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTD4813NHT4G
Descripción	MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 7.6 A (Ta), 40 A (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.6 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 11.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	13mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	940 pF @ 12 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	NTD4813

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