GPI65060DFN GaNPower | Productos semiconductores discretos

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GPI65060DFN
N.º de producto de DigiKey	4025-GPI65060DFNTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	GaNPower
Número de pieza del fabricante	GPI65060DFN
Descripción	GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 60A Molde
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	GaNPower
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 3.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	16 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7.5V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	420 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	Molde
Paquete / Caja (carcasa)	Molde