TO-263-8
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TO-263-8
TO-263-7

G2R120MT33J

N.º de producto de DigiKey
1242-G2R120MT33J-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
G2R120MT33J
Descripción
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Plazo estándar del fabricante
20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 3300 V 35A TO-263-7
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
G2R120MT33J Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
3300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
156mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
145 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3706 pF @ 1000 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
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Tubo
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250$91.94124$22,985.31
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