Name: G3F18MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F18MT12J-TR-ND
Price: 25.19 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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G3F18MT12J-TR
N.º de producto de DigiKey	1242-G3F18MT12J-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1242-G3F18MT12J-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1242-G3F18MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G3F18MT12J-TR
Descripción	1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 122A (Tc) 526W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	122A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 45A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.3V a 35mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	212 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4962 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	526W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA