Name: G2K8P15S
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K8P15STR-ND
Price: 1.11 USD
Availability: InStock

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G2K8P15S
N.º de producto de DigiKey	3141-G2K8P15STR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G2K8P15SCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G2K8P15SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G2K8P15S
Descripción	P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 150 V 2.2 A (Tc) 2.5W (Tc) 8-SOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	310mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	966 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)