Name: G65P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G65P06D5TR-ND
Price: 1.56 USD
Availability: OutOfStock

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G65P06D5
N.º de producto de DigiKey	3141-G65P06D5TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G65P06D5CT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G65P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G65P06D5
Descripción	P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 65A (Tc) 104W (Tc) 8-DFN (4.9x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	65A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6138 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (4.9x5.75)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN