G50N03J
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

G700P06J

N.º de producto de DigiKey
4822-G700P06J-ND
Fabricante
Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante
G700P06J
Descripción
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Orificio pasante 23 A (Tc) 50W (Tc) TO-251
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Goford Semiconductor
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
70mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-251
Paquete / Caja (carcasa)
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
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3,000$0.12700$381.00
15,000$0.11700$1,755.00
30,000$0.10600$3,180.00
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