Name: GC11N65D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC11N65D5TR-ND
Price: 2.47 USD
Availability: OutOfStock

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GC11N65D5
N.º de producto de DigiKey	3141-GC11N65D5TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-GC11N65D5CT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-GC11N65D5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GC11N65D5
Descripción	N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 11A (Tc) 78W (Tc) 8-DFN (4.9x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SuperJunction
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	360mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	901 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (4.9x5.75)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN