Name: GT042P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT042P06MTR-ND
Price: 3.63 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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GT042P06M
N.º de producto de DigiKey	3141-GT042P06MTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-GT042P06MCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-GT042P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT042P06M
Descripción	MOSFET P-CH 60V 160A 280W 4.5M(M
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 160A (Tc) 280W (Tc)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	160A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	305 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9389 pF @ 30 V
Disipación de potencia (Máx.)	280W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie