Name: IRF710
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRF710-ND
Price: 0.49 USD
Availability: InStock

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IRF710
N.º de producto de DigiKey	2156-IRF710-ND
Fabricante	Harris Corporation
Número de pieza del fabricante	IRF710
Descripción	MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Harris Corporation
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	400 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.6Ohm a 1.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	135 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRF710