Name: AIMZHN120R010M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZHN120R010M1TXKSA1-ND
Price: 28.35 USD
Availability: OutOfStock

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AIMZHN120R010M1TXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-AIMZHN120R010M1TXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	AIMZHN120R010M1TXKSA1
Descripción	SIC_DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 202A (Tc) 750W (Tc) PG-TO247-4-14
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	202A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11.3mOhm a 93A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.1V a 30mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	178 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5703 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	750W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-14
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

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