AUIRFR5410TRL Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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AUIRFR5410TRL
N.º de producto de DigiKey	AUIRFR5410TRLTR-ND - Cinta y rollo (TR) AUIRFR5410TRLCT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	AUIRFR5410TRL
Descripción	MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	205mOhm a 7.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	760 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	66W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	AUIRFR5410