AUIRFS3107TRL Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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AUIRFS3107TRL
N.º de producto de DigiKey	AUIRFS3107TRLTR-ND - Cinta y rollo (TR) AUIRFS3107TRLCT-ND - Cinta cortada (CT) AUIRFS3107TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	AUIRFS3107TRL
Descripción	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	75 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	195A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3mOhm a 140A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9370 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	370W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	AUIRFS3107