BSC094N06LS5ATMA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

BSC094N06LS5ATMA1
Número de pieza de DigiKey	448-BSC094N06LS5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSC094N06LS5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSC094N06LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC094N06LS5ATMA1
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 47A (Tc) 36W (Tc) PG-TDSON-8-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC094N06LS5ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	47A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.4mOhm a 24A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 14µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1300 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-6
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC094