Name: BSC105N15LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND
Price: 2.09 USD
Availability: OutOfStock

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BSC105N15LS5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSC105N15LS5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSC105N15LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC105N15LS5ATMA1
Descripción	TRENCH >=100V
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 10.7A (Ta), 76A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) PG-TDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10.7A (Ta), 76A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10.5mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 91µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3000 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN