Name: BSC160N15NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC160N15NS5SCATMA1TR-ND
Price: 2.89 USD
Availability: OutOfStock

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BSC160N15NS5SCATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSC160N15NS5SCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSC160N15NS5SCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSC160N15NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC160N15NS5SCATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 56A (Tc) 115W (Tc) PG-WSON-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC160N15NS5SCATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	56A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 28A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.6V a 60µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1820 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-WSON-8-2
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN