BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

BSC886N03LSGATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC886N03LSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC886N03LSGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC886N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC886N03LSGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 13A (Ta), 65A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) PG-TDSON-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Ta), 65A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2100 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC886